Korrosionsbeständiges Mems-Bauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2170762
Art B1
20. September 2017
Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2170762
- Aktenzeichen
- EP08774477
- Anmeldetag
- 27. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 20. September 2017
- Erteilung
- 20. September 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B7/00G01N11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
IHP – Innovations for High Performance Microelectronics
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
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