Korrosionsbeständiges Mems-Bauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP2170762 Art B1 20. September 2017

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2170762
Aktenzeichen
EP08774477
Anmeldetag
27. Juni 2008
Veröffentlichung
20. September 2017
Erteilung
20. September 2017
Rechtsraum
EP
IPC
B81B7/00G01N11/16
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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