Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements

EP2178129 Art B1 29. November 2017

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2178129
Aktenzeichen
EP08791964
Anmeldetag
31. Juli 2008
Veröffentlichung
29. November 2017
Erteilung
29. November 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/02// H01L33/00H01L33/32H01S5/343H01L33/16H01S5/32H01S5/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

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