Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
EP2178129
Art B1
29. November 2017
Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2178129
- Aktenzeichen
- EP08791964
- Anmeldetag
- 31. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 29. November 2017
- Erteilung
- 29. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/02// H01L33/00H01L33/32H01S5/343H01L33/16H01S5/32H01S5/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nichia Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nichia
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
967 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fenlon, Christine Lesley
London, Großbritannien
1.693
Patente gesamt
33
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Haseltine Lake Kempner LLP
Haseltine Lake Kempner LLP · München