High-K-Heterostruktur

EP2186119 Art B1 20. Februar 2013

Anmelder: STMicroelectronics SA, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.), Ecole Centrale de Lyon, Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS, Centre National de la Recherche Scientifique- CNRS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2186119
Aktenzeichen: EP07825631
Anmeldetag: 28. August 2007
Veröffentlichung: 20. Februar 2013
Erteilung: 20. Februar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/51H01L21/314

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics SA
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Ecole Centrale de Lyon
Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS
Centre National de la Recherche Scientifique- CNRS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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