Verringerte Unterseitenrauhigkeit eines Belastungspufferelements einer Halbleiterkomponente
EP2186133
Art A2
19. Mai 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2186133
- Aktenzeichen
- EP08789311
- Anmeldetag
- 15. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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NoneNijmegen
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Williamson, Paul Lewis
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