Verfahren zum Züchten eines GaN-Einzelkristalls, Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis und Element auf GaN-Basis
Anmelder: Tohoku Techno Arch Co., Ltd., Furukawa Co., Ltd., Mitsubishi Chemical Corporation, DOWA Holdings Co., Ltd, Wavesquare Inc., EpiValley Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2192624
- Aktenzeichen
- EP10156007
- Anmeldetag
- 31. März 2006
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L21/20H05B33/10C30B25/02C30B25/18C30B29/40// H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
Furukawa Co., Ltd.
Mitsubishi Chemical Corporation
DOWA Holdings Co., Ltd
Wavesquare Inc.
EpiValley Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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