Verfahren zum Züchten eines GaN-Einzelkristalls, Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis und Element auf GaN-Basis
Anmelder: Tohoku Techno Arch Co., Ltd., Furukawa Co., Ltd., Mitsubishi Chemical Corporation, Dowa Holdings Co., Ltd., EpiValley Co., Ltd., Wavesquare Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2194167
- Aktenzeichen
- EP10156004
- Anmeldetag
- 31. März 2006
- Veröffentlichung
- 31. August 2011
- Erteilung
- 31. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B25/18C30B29/40H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
Furukawa Co., Ltd.
Mitsubishi Chemical Corporation
Dowa Holdings Co., Ltd.
EpiValley Co., Ltd.
Wavesquare Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
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