Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis

EP2197050 Art A1 16. Juni 2010

Anmelder: Tohoku Techno Arch Co., Ltd., Furukawa Co., Ltd., Mitsubishi Chemical Corporation, DOWA Holdings Co., Ltd, EpiValley Co., Ltd., Wavesquare Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2197050
Aktenzeichen: EP10156010
Anmeldetag: 31. März 2006
Veröffentlichung: 16. Juni 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/205H05B33/10C30B29/38C23C16/34// H01L21/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
Furukawa Co., Ltd.
Mitsubishi Chemical Corporation
DOWA Holdings Co., Ltd
EpiValley Co., Ltd.
Wavesquare Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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