Steuerungsverfahren für einen Halbbrücken-Resonanzwandler zur Vermeidung von Kapazitivem Betrieb
EP2201669
Art B1
21. Juni 2017
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2201669
- Aktenzeichen
- EP08807580
- Anmeldetag
- 9. September 2008
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2017
- Erteilung
- 21. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H02M1/32H02M3/337H02M7/538
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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