Verfahren zum Züchten eines GaN-Einzelkristalls, Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis und Element auf GaN-Basis
Anmelder: Tohoku Techno Arch Co., Ltd., Furukawa Co., Ltd., Mitsubishi Chemical Corporation, DOWA Holdings Co., Ltd, EpiValley Co., Ltd., Wavesquare Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2204477
- Aktenzeichen
- EP10156005
- Anmeldetag
- 31. März 2006
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B25/18C30B29/40H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
Furukawa Co., Ltd.
Mitsubishi Chemical Corporation
DOWA Holdings Co., Ltd
EpiValley Co., Ltd.
Wavesquare Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
2.926 Patente in unserer Datenbank
Mathys & Squire wurde 1910 gegründet und blickt auf über ein Jahrhundert Erfahrung zurück, mit zahlreichen britischen Standorten sowie Luxemburg, München und Paris und Teams in China und Japan, beraten auch auf Deutsch und Chinesisch.