Graben-Gate-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2206154
Art B1
29. Juni 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2206154
- Aktenzeichen
- EP08843598
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2008
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2011
- Erteilung
- 29. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L29/40H01L29/423H01L21/336// H01L21/265H01L21/225
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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