Verfahren zur Ätzung von Rillen in das Silicium eines Halbleitersubstrats, Verfahren zur Formung von Rillenisolationen im Silicium eines Halbleitersubstrats sowie Verfahren zur Formung mehrerer Dioden
EP2218095
Art A1
18. August 2010
Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2218095
- Aktenzeichen
- EP08857467
- Anmeldetag
- 7. November 2008
- Veröffentlichung
- 18. August 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01L21/76H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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