Löcher oder Gräben mit Hohem Aspektverhältnis
EP2232533
Art A1
29. September 2010
Anmelder: IPDIA, NXP B.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2232533
- Aktenzeichen
- EP08871114
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 29. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IPDIA
NXP B.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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