Verfahren zum Herstellen einer 3D-Halbleiter-Ausformstruktur mit einer Behälterstruktur
EP2232549
Art B1
19. September 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2232549
- Aktenzeichen
- EP08867823
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2008
- Veröffentlichung
- 19. September 2018
- Erteilung
- 19. September 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/98H01L21/60// H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pomper, Till
Toulouse, Frankreich
285
Patente gesamt
14
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse