Verfahren zur Herstellung eines Wafers aus einem Siliziumeinkristallsubstrat mit einer Vorder- und einer Rückseite und einer auf der Vorderseite gelagerten SiGe-Schicht
EP2251897
Art B1
6. Januar 2016
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2251897
- Aktenzeichen
- EP09006476
- Anmeldetag
- 13. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2016
- Erteilung
- 6. Januar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L21/20H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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Weitere Vertreter
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