Photoelektronisches Bauelement mit einem vertikalen p-n oder p-i-n Übergang und dessen Herstellungsmethode

EP2256820 Art A3 20. April 2011

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2256820
Aktenzeichen
EP09175048
Anmeldetag
4. November 2009
Veröffentlichung
20. April 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L31/0224H01L31/0352H01L31/18H01L27/142H01L33/24H01L33/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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