MOSFET-Halbleiter aus Siliziumkarbid mit kurzgeschlossenem Kanal und Herstellungsverfahren dafür
EP2261955
Art B1
15. Mai 2013
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2261955
- Aktenzeichen
- EP10182120
- Anmeldetag
- 28. September 2001
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2013
- Erteilung
- 15. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78// H01L29/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Boult Wade Tennant LLP
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