Hochtemperatur ionische Implantierung von Nitridbasierten HEMT.
EP2261959
Art B1
4. Januar 2017
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2261959
- Aktenzeichen
- EP10179018
- Anmeldetag
- 20. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2017
- Erteilung
- 4. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Fachgebiete
Vertreten von
Brophy, David Timothy
Dublin, Irland
893
Patente gesamt
32
Fachgebiete
25
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Weitere Vertreter
-
FRKelly
FRKelly · Dublin
-
Boyce, Conor
NoneDublin