Verfahren zur Herstellung eines Zno-Einkristalls, auf Diese Weise Gewonnener Selbsttragender Zno-Einkristallwafer, Selbsttragender Wafer eines Mg-Haltigen Zno-Mischeinkristalls und Verfahren zur Herstellung des Darin Verwendeten Mg-Haltigen Zno-Mischeinkristalls
EP2267193
Art A1
29. Dezember 2010
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2267193
- Aktenzeichen
- EP09726041
- Anmeldetag
- 18. März 2009
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/16C30B19/02C30B33/00H01L21/368H01L21/02C30B9/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
National Institute for Materials Science - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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Vertreten von
-
Plasseraud IP
Plasseraud IP · Paris
-
Cabinet Plasseraud
Cabinet Plasseraud · Paris