Bipolartransistor
EP2270869
Art B1
23. Juli 2014
Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2270869
- Aktenzeichen
- EP10184125
- Anmeldetag
- 2. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2014
- Erteilung
- 23. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L29/08H01L29/10H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
IHP – Innovations for High Performance Microelectronics
Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.
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