Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2276066
Art A1
19. Januar 2011
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2276066
- Aktenzeichen
- EP09724334
- Anmeldetag
- 26. März 2009
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
McLeish, Nicholas Alistair Maxwell
London, Großbritannien
3.584
Patente gesamt
34
Fachgebiete
28
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
-
Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London