Verfahren zur Formung von durch Halbleitersubstrate Gestützten Strukturen
EP2279517
Art B1
9. Juli 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2279517
- Aktenzeichen
- EP09751098
- Anmeldetag
- 23. April 2009
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2014
- Erteilung
- 9. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033G03F7/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
37.082
Patente gesamt
30
Patentanwälte
8
Standorte