Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltung und Integrierte Schaltung

EP2283517 Art B1 13. Juli 2016

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2283517
Aktenzeichen
EP09754245
Anmeldetag
19. Mai 2009
Veröffentlichung
13. Juli 2016
Erteilung
13. Juli 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L23/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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