Verfahren zur Hestellung von Orientierten Schichten aus Tantaloxid.

EP2286002 Art B1 8. Juli 2015

Anmelder: Micron Technology, Inc., Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2286002
Aktenzeichen
EP09758960
Anmeldetag
15. Mai 2009
Veröffentlichung
8. Juli 2015
Erteilung
8. Juli 2015
Rechtsraum
EP
IPC
C23C16/40C23C16/448C30B29/16H01L21/316H01L49/02C30B25/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Micron Technology, Inc.
Micron Technology, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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