Halbleiterbauelement
EP2293336
Art B1
27. November 2019
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2293336
- Aktenzeichen
- EP09750595
- Anmeldetag
- 20. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 27. November 2019
- Erteilung
- 27. November 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/10// H01L29/16H01L29/06H01L21/336H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
McLeish, Nicholas Alistair Maxwell
London, Großbritannien
3.584
Patente gesamt
34
Fachgebiete
28
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Boult Wade Tennant LLP
Boult Wade Tennant LLP · London
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Boult Wade Tennant
Boult Wade Tennant · London