Steuerung des Nachwachsens einer Grenzflächenschicht bei einer Gatestruktur mit Hoher Dielektrizitätskonstante für Feldeffekttransistoren
EP2294609
Art B1
25. April 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2294609
- Aktenzeichen
- EP09769762
- Anmeldetag
- 24. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 25. April 2012
- Erteilung
- 25. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/28H01L21/3115H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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