Verfahren zur Bildung einer Leistungshalbleiteranordnung und Leistungshalbleiteranordnung
EP2294621
Art B1
15. November 2017
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2294621
- Aktenzeichen
- EP08807502
- Anmeldetag
- 30. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 15. November 2017
- Erteilung
- 15. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/331H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pomper, Till
Toulouse, Frankreich
285
Patente gesamt
14
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse