Zusammensetzung zur Bildung einer Ferroelektrischen Dünnschicht, Verfahren zur Bildung einer Ferroelektrischen Dünnschicht und anhand des Verfahrens Gebildete Ferroelektrische Dünnschicht
EP2298714
Art B1
5. Juli 2017
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2298714
- Aktenzeichen
- EP09754780
- Anmeldetag
- 28. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2017
- Erteilung
- 5. Juli 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/49C01G25/00C04B35/46H01L21/316H01L21/8242H01L21/8246H01L27/105H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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