Bipolarer Heteroübergangstransistor
EP2315238
Art B1
20. Juni 2012
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2315238
- Aktenzeichen
- EP09174032
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2012
- Erteilung
- 20. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/737H01L21/8249
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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