Verfahren zur Bildung von Relaxierten Halbleitermaterialschichten, Halbleiterstrukturen, Vorrichtungen und Manipulierte Substrate damit
Anmelder: Soitec, Philips Lumileds Lighting Company LLC, Koninklijke Philips Electronics N.V., S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2329517
- Aktenzeichen
- EP09792798
- Anmeldetag
- 21. September 2009
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Philips Lumileds Lighting Company LLC
Koninklijke Philips Electronics N.V.
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
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