Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2330617
Art A1
8. Juni 2011
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2330617
- Aktenzeichen
- EP09810077
- Anmeldetag
- 31. August 2009
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
961
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32
Fachgebiete
15
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Isarpatent
Isarpatent · München