Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit Isolierbereichen für eine DRAM-Zelle
EP2330620
Art B1
13. Mai 2020
Anmelder: Micron Technology, Inc., Micron Technology, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2330620
- Aktenzeichen
- EP11001773
- Anmeldetag
- 19. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 13. Mai 2020
- Erteilung
- 13. Mai 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L21/336H01L21/8234H01L29/423H01L29/78H01L29/51H01L29/66H01L27/108
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
Micron Technology, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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