Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Siliciumcarbid von Hoher Qualität in einer Keimwachstumsanlage

EP2336399 Art B1 8. August 2018

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2336399
Aktenzeichen
EP10185748
Anmeldetag
14. Juni 2005
Veröffentlichung
8. August 2018
Erteilung
8. August 2018
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/36H01L21/324C30B23/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Hassa, Oliver Michael München, Deutschland
219
Patente gesamt
27
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Medizintechnik & Gesundheit Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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