Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement-Herstellungsverfahren

EP2341531 Art A1 6. Juli 2011

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2341531
Aktenzeichen: EP09815903
Anmeldetag: 25. September 2009
Veröffentlichung: 6. Juli 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/522H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von