Schalterkörper-NMOS-PMOS-Schalter mit komplementär getakteten Schalterkörper-NMOS-PMOS-Dummies
EP2341622
Art A3
24. September 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2341622
- Aktenzeichen
- EP10193420
- Anmeldetag
- 2. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 24. September 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/16H03K17/0412G11C27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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