Verbesserter Mems-Resonator

EP2342821 Art B8 5. Juli 2017

Anmelder: III Holdings 12, LLC, NXP B.V. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2342821
Aktenzeichen
EP09750207
Anmeldetag
8. Mai 2009
Veröffentlichung
5. Juli 2017
Erteilung
5. Juli 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H03H9/24H03H9/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
III Holdings 12, LLC
NXP B.V.
Land
🇺🇸 USA
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen