Zusammensetzung zur Bildung von ferroelektrischen Dünnfilmen, Verfahren zur Bildung von ferroelektrischen Dünnfilmen und mit diesem Verfahren gebildete ferroelektrische Dünnschicht

EP2343268 Art B1 21. Februar 2018

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, STMicroelectronics (Tours) SAS 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2343268
Aktenzeichen: EP10192771
Anmeldetag: 28. Mai 2009
Veröffentlichung: 21. Februar 2018
Erteilung: 21. Februar 2018
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/49C01G25/00C04B35/46H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
STMicroelectronics (Tours) SAS
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von