Verfahren zur Bildung von Schichten aus Halbleitermaterial mit Verringerter Gitterverspannung und Entworfene Substrate damit
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2345060
- Aktenzeichen
- EP09793351
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2013
- Erteilung
- 4. Dezember 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei in St Ives bei Cambridge mit langjähriger Erfahrung im britischen und europäischen IP-Recht, bewusst zweigeteilt in ein Patent- und Design- sowie ein Marken- und Urheberrechtsteam. Betreut Mandanten von Einzelerfindern bis zu multinationalen Konzernen mit etablierten IP-Portfolios.