Substratdurchgängiges Durchgangsloch und Umverdrahtungsschicht mit Metallpaste

EP2351077 Art B1 1. März 2017

Anmelder: Tessera Advanced Technologies, Inc., NXP B.V. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2351077
Aktenzeichen
EP09744469
Anmeldetag
21. Oktober 2009
Veröffentlichung
1. März 2017
Erteilung
1. März 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/498H01L21/48// H01L23/48
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Tessera Advanced Technologies, Inc.
NXP B.V.
Land
🇺🇸 USA
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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