Verfahren zur Bildung von Borhaltigem Dünnem Film und Mehrschichtstruktur
EP2351877
Art A1
3. August 2011
Anmelder: Rohm Co., Ltd., The Doshisha, I'MSEP CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2351877
- Aktenzeichen
- EP09822072
- Anmeldetag
- 22. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 3. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C25D9/08C25D11/00C25D11/02H01G4/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Rohm Co., Ltd.
The Doshisha
I'MSEP CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
961
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Isarpatent
Isarpatent · München