Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium unter Verwendung von geschmolzenem Granulat

EP2354278 Art B1 4. Juli 2012

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2354278
Aktenzeichen
EP11150764
Anmeldetag
12. Januar 2011
Veröffentlichung
4. Juli 2012
Erteilung
4. Juli 2012
Rechtsraum
EP
IPC
C30B13/20C30B13/26C30B13/30C30B13/32C30B29/06H05B6/24
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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