Vefahren zur Herstellung versetzungfreien Siliziumeinkristalles unter Verwendung des Czochralski-Verfahrens
EP2354279
Art A1
10. August 2011
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2354279
- Aktenzeichen
- EP11153280
- Anmeldetag
- 4. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 10. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/02C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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