Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, Substrat für Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Substrats

EP2355141 Art A3 20. September 2017

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2355141
Aktenzeichen: EP11153475
Anmeldetag: 7. Februar 2011
Veröffentlichung: 20. September 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L27/12H01L21/02H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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