Heterostrukturelement mit Geringer Barrierenhöhe und Hoher Stromdichte

EP2356685 Art A1 17. August 2011

Anmelder: MicroGaN GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2356685
Aktenzeichen
EP09764450
Anmeldetag
20. November 2009
Veröffentlichung
17. August 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/72H01L29/423H01L29/778
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MicroGaN GmbH
Land
🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Beckmann, Wolf Christian München, Deutschland
9
Patente gesamt
5
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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