Leistungs-Mos-Transistoranordnung
EP2371003
Art B1
4. Juli 2018
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2371003
- Aktenzeichen
- EP08875951
- Anmeldetag
- 27. November 2008
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2018
- Erteilung
- 4. Juli 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L29/06H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pomper, Till
Toulouse, Frankreich
285
Patente gesamt
14
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse