Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements aus Siliziumkarbid

EP2383772 Art B1 7. Januar 2015

Anmelder: Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2383772
Aktenzeichen: EP09834285
Anmeldetag: 9. November 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2015
Erteilung: 7. Januar 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/265// H01L21/263H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Showa Denko K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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