Bei Hochtemperatur leistungsfähiger Galliumnitridtransistor
EP2385558
Art B1
11. Oktober 2017
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2385558
- Aktenzeichen
- EP11176492
- Anmeldetag
- 16. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 11. Oktober 2017
- Erteilung
- 11. Oktober 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/335H01L29/40H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
1.232 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Frost, Alex John
London, Großbritannien
1.015
Patente gesamt
31
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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Boult Wade Tennant LLP
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