Hocheffiziente Leistungsfaktorkorrkturschaltung bei Geringer Last
EP2387817
Art B1
27. Juni 2018
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2387817
- Aktenzeichen
- EP10701928
- Anmeldetag
- 14. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 27. Juni 2018
- Erteilung
- 27. Juni 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H02M1/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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