Verfahren zur Herstellung eines FET mit flachem und schmalem Graben und verwandte Strukturen

EP2388805 Art A1 23. November 2011

Anmelder: International Rectifier Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2388805
Aktenzeichen
EP11002273
Anmeldetag
19. März 2011
Veröffentlichung
23. November 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/78H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
International Rectifier Corporation
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zeitler, Stephan Heidenheim, Deutschland
13
Patente gesamt
10
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Optik & Fototechnik Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
Zum Anwaltsprofil
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen