Kreuzungspunktspeicherstrukturen sowie Verfahren zur Formung von Speicherarrays
EP2399287
Art B1
6. Januar 2016
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2399287
- Aktenzeichen
- EP10744098
- Anmeldetag
- 19. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2016
- Erteilung
- 6. Januar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8239H01L27/10H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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