Abhebeprozess für auf SiC-Substraten ausgebildete GaN-Filme
EP2410581
Art B1
10. Juni 2020
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2410581
- Aktenzeichen
- EP11186059
- Anmeldetag
- 22. März 2005
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2020
- Erteilung
- 10. Juni 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L33/46// H01L33/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Fachgebiete
Vertreten von
Brophy, David Timothy
Dublin, Irland
893
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Fachgebiete
25
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Weitere Vertreter
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FRKelly
FRKelly · Dublin
-
Boyce, Conor
NoneDublin